1.2.1催化剂自身影响因素

1.2.1.1半导体光催化剂禁带宽度及其位置

通过方程λg(nm)=1240/Eg(eV)可知，对光的响应范围与半导体光催化剂的带隙成反比。除此之外，半导体光催化剂的价带位置对催化剂的光生电子-空穴对的还原能力有着极大的影响。半导体导带位置电势低，其光生e-的还原能力强；半导体的价带所在的位置电势高，其光生h+的氧化能力强。

1.2.1.2晶型结构

半导体晶体结构分为单晶型和多晶型，晶体结构对半导体的光催化性能有着极大的影响。同以晶体中不同的晶体结构与不同的光催化活性相对，当具有优秀的光催化活性的晶面在晶体中占据大部分时，晶体的光催化活性也会得到显著提高。在氯氧铋晶体中，（001）晶面的光催化活性相对于其他晶面更高，当（001）晶面在晶体中所占比例得到提高，其晶体整体光催化活性也得到显著提高。其他的半导体光催化剂拥有着近似的表现。

1.2.1.3光生载流子分离和捕获

在光催化反应中，光生载流子分离速率越快，光催化剂的催化活性越高，通常认为，催化剂的晶体结构以及表面形貌和光生载流子有着密切联系。目前，光生载流子的分离、复合和调控机制尚不是十分明确。通常认为，半导体的结晶程度决定了电荷的转移速率，当晶体晶相越优良，电子的转移越快，空穴对复合的几率越低，当产生的电子，空穴可以愈加充分参与到氧化还原反应中，光催化活性就愈强。