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高性能二维过渡金属硫化物及钙钛矿CsPbBr3纳米晶异质结器件(4)

时间:2024-11-27 21:13来源:98864
MoS2空间电荷区的电场方向由体内指向表面,能带向上弯曲。 在光照情况时,因为CsPbBr3会吸收光子产生电子空穴对,如果W1W2,产生的空穴会随着CsPbBr3的电

MoS2空间电荷区的电场方向由体内指向表面,能带向上弯曲。

在光照情况时,因为CsPbBr3会吸收光子产生电子空穴对,如果W1>W2,产生的空穴会随着CsPbBr3的电场方向从体内转移到表面,并在MoS2的电场作用下转移到MoS2的体内。而电子则被限制在CsPbBr3体内。当累计足够电荷时,EF1降低,EF2升高,降低了接触时的肖特基势垒,促使载流子传输导致较高的光电流。

如果W1<W2,产生的电子会随着CsPbBr3空间电荷区的电场作用转移到表面,并在MoS2的电场作用下转移到MoS2的体内。而空穴被限制在CsPbBr3体内。随着电荷的积累,EF1升高,EF2降低,同样降低了接触时的肖特基势垒。

1.2.4光电探测器

我们经常用灵敏度(也称作响应度,)、光谱灵敏度( 高性能二维过渡金属硫化物及钙钛矿CsPbBr3纳米晶异质结器件(4):http://www.chuibin.com/cailiao/lunwen_205122.html

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