1.2.2无机钙钛矿（CsPbX3）量子点量子点（Quantumdots，QDs）因为独特的光学和电学性能，在许多领域具有潜在的应用

（比如照明、光电探测器和太阳能电池等[30-35]），特别是在照明和显示领域，已经处于商业化阶段。已经报告的钙钛矿量子点（MPbX3，M=CH3NH3，Cs;X=Cl，Br，I）拥有尺寸可调，宽带吸收，窄发射光谱和高光致发光效率[36-39]。然而，以往的研究中有一些问题阻碍了实际应用的规模生产，例如反应温度高和表面钝化。热注射方法（hotinjection，HI）是制备量子点最流行且最有效的方法，但是热注射过程繁琐，高温和惰性气氛不可避免，这将会提高生产成本，且当制造量增加时，注入剂在热注射过程中会降低产品的质量和分散性。

李晓明等人[40]首次报告了CsPbX3量子点的室温合成法。无机钙钛矿量子点（inorganicperovskitequantumdots，IPQDs）的合成是根据在室温下运行的过饱和重结晶进行设计的，通过将Cs+，Pb2+和X-离子从可溶性溶剂转移到不溶性溶剂中，几秒钟后完成，不再需要惰性气体和注入。即使在室温下结晶，但IPQDs同样具有优异的光学性能。本实验制备的钙钛矿量子点即为室温合成法。

1.2.3异质结及其能带图[41]

本实验制备的器件为异质结器件，除了MoS2薄膜和CsPbBr3钙钛矿接触成异质结，还涉及到Au与MoS2（n型）的接触（本实验不考虑表面态，制备的器件会退火以降低表面态的影响）。如表1.1所示，为MoS2和CsPbBr3能带的相关参数。Au的功函数Wm=E0-(EF)Au=5.2eV，MoS2的Ec1=-3.3eV，Ev1=-5.7eV。由于MoS2的EF1会随杂质浓度变化，则W1=E0-EF1不确定。

假设Wm>W1，则Au与MoS2接触时，由于(EF)Au低于EF1，电子从MoS2转移到Au。Au表面带负电，MoS2表面带正电。随着MoS2和Au的距离变小，积累的电荷增加。因为MoS2存在自由电荷密度的限制，正电荷会在一定厚度的表面层内积累，形成MoS2空间电荷区。，MoS2空间电荷区的电场方向由体内指向表面。MoS2的表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，形成表面势垒。MoS2表面的电子浓度低于体内，形成阻挡层，最终会阻碍电流的传输。

表1.1 MoS2和CsPbBr3相关参数

MoS2 CsPbBr3

导带底 Ec1=-3.3eV Ec2=-4.2eV

价带顶 Ev1=-5.7eV Ev2=-6.0eV

费米能级 EF1 EF2

禁带宽度 Eg1=2.4eV Eg2=1.8eV

电子亲和能 χ1=3.3eV χ2=4.2eV

功函数 W1=E0-EF1 W2=E0-EF2

如果Wm<W1，同理，负电荷积累在MoS2表面层，产生的空间电荷区由MoS2表面指向体内，最终形成反阻挡层，是一层很薄的高导电层，但对接触电阻的影响很小。

MoS2和CsPbBr3为两个半导体接触，同样由于杂质浓度的影响，EF1和EF2大小不确定。假设EF1<EF2，即W1>W2。当MoS2和CsPbBr3接触时，由于EF2高于EF1，电子从CsPbBr3转移到MoS2上，CsPbBr3表面带正电，MoS2表面带负电。距离越近，积累电荷越多。由于自由电荷密度的影响，分别在CsPbBr3和MoS2产生空间电荷区。CsPbBr3空间电荷区的电场方由体内指向表面，能带向上弯曲；MoS2空间电荷区的电场方向由表面指向体内，能带向下弯曲。

如果W1<W2，同理，CsPbBr3空间电荷区的电场方向由表面指向体内，能带向下弯曲； 高性能二维过渡金属硫化物及钙钛矿CsPbBr3纳米晶异质结器件(3):http://www.chuibin.com/cailiao/lunwen_205122.html