1.3 ZnO薄膜的制备工艺现状

制备方法的不同，往往会获得各种特性不同的氧化锌薄膜，而不同特性的薄膜的应用前景各不相同。随着对ZnO研究的不断深入，越来越多的制备方法涌现出来，下面介绍几种比较常见的ZnO薄膜制备工艺。

1.3.1金属有机物化学气相沉积

MOCVD常用于在基片上外延生长不同物质的薄膜，这种方法制备的氧化锌薄膜具有较高的质量[10]。该法用Zn的有机金属化合物为Zn源，在一定温度下，通过气化、分解、沉淀等过程在衬底上外延生长ZnO薄膜。二甲基锌与二乙基锌是常用的Zn源，衬底一般是蓝宝石、硅和玻璃等。通过金属有机物化学气相沉积的方法，可以在较短的时间内获得大面积的高质量薄膜，且可以一次在多个基片上同时进行薄膜沉积。但MOCVD也有却点：原料的化学稳定性不好，且反应需要的温度较高，反应会产生有毒气体等。

1.3.2磁控溅射法

通过磁控溅射法制备ZnO薄膜获得了较为广泛的应用。它的原理是在真空环境中通过使Ar气等惰性气体放电，由于气体放电的作用产生出了一些正离子，在外加电场的作用下，正离子加速，待速度达到一定程度的时轰击在阴极靶材上。由于受到强烈的撞击，其中的原子或分子脱离了靶材，在真空中扩散沉积到了基底上，生成所需的薄膜。根据电源的不同，磁控溅射又分为直流和射频两种。

总的来说，磁控溅射法能够更加优质的薄膜，主要包括：高度的c轴取向，更加平整的表面，对于可见光的吸收更小，可以获得更好的透过率,在电学、光学性能上也有一定程度的改善[11]。但因为溅射时离子的能量较高，粒子流会对衬底表面造成损伤，因此制备出的薄膜会存在较多的本征缺陷。