2.1.2 甩胶工艺 6

2.1.3 烘胶工艺 7

2.1.4 曝光与显影 8

2.2 溅射工艺 9

2.2.1 DC溅射淀积 9

2.2.2 RF溅射淀积 10

2.2.3 磁控溅射淀积 10

2.3 释放工艺 11

2.4 本章小结 11

3 柔性温湿度集成传感器研制 12

3.1 铂电阻简介 12

3.2 聚酰亚胺材料分析 12

3.2.1 ZKPI型聚酰亚胺 12

3.2.2 聚酰亚胺的感湿机理 13

3.2.3 聚酰亚胺胶带 14

3.3 平行板电容器 14

3.4 工艺流程及测试结果 15

3.4.1 结构设计 15

3.4.2 工艺流程 16

4 柔性温湿度集成传感器测试 19

4.1 测试系统 19

第II页 本科毕业设计说明书

4.1.1 温度测试系统 19

4.1.2 湿度测试系统 19

4.2 测试结果 20

4.2.1 温度测试结果 20

4.2.2 湿度测试结果 21

结 论 25

致 谢 26

参考文献 27

1 引言

1.1 柔性温湿度集成传感器介绍

1.1.1 集成电路与摩尔定律

1947年，第一个晶体管在美国贝尔实验室问世。1958~1959期间，杰克•基尔比（JackKilby）和罗伯特•诺伊斯（RobertNoyce）分别发明了锗集成电路和硅集成电路。在这之后的50多年时间里，集成电路已经实实在在地改变了我们的世界，在人类迈入的信息社会背后支撑着的，毋庸置疑，就是集成电路技术。所谓集成电路通常是由数量巨大的单个元器件（诸如晶体管、电阻、电容等）所组成，这些元器件全部制作在同一块衬底材料上，并利用引线相互连接在一起，以完成一个特定的电路功能[1]。时代的发展之下，集成电路的不断复杂化主要通过以下两个方面达成：一是单个元器件的尺寸不断减小，二是单个集成电路芯片的面积不断增大。1965年，英特尔创始人戈登˙摩尔首次提出了“摩尔定律”的概念，内容是：当价格不变时，集成电路能容纳的晶体管数目，每隔18～24个月会增加一倍，而集成电路的性能也会提升一倍。摩尔定律问世的这50多年来，蓬勃发展的各种高科技技术不计其数，其中包括各类计算机技术、软件、网络、通讯、人工智能、云计算……2000年之前，通过简单的几何比例缩小使得芯片上的元器件尺寸按照摩尔的预测变化。2000年之后，在几何比例到头的困境下，又迎来了各种新的技术手段，比如：应变硅，三栅极晶体管等等。但是，近年来，摩尔定律在高温和漏电着两大挑战面前遭遇瓶颈，越来越多人预测摩尔定律将要走到尽头。基于此，研究者们提出了三种方案[2]：其一是“moreMoore”，即基于固体物理知识和新材料的应用来优化CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）性能；其二是“beyondCMOS”，即围绕自旋电子，核自旋等以磁为信息载体的新理念，制造一种工作原理不同于传统CMOS的器件；其三是“morethanMoore”，即为CMOS增加一些新的特征，从而提升整个系统的性能，比如：微型传感器，柔性电子，生物芯片等等。尽管，近几年摩尔定律似乎已经失去了指导意义，似乎走到了尽头。但是，它作为对发展趋势的一种分析预测，对于整个世界意义深远。 MEMS柔性温湿度集成传感器研究(2):http://www.chuibin.com/cailiao/lunwen_205160.html