已知g-C3N4的带隙为约2.7eV，其可以吸收高达460nm的可见光。此外，g-C3N4的CB最小值（〜1.12eVvs.NHE）是非常小的，因此光生电子应该具有很高的还原能力。然而，由于光激发电孔对的高复合概率，单g-C3N4的光催化效率受到限制。

为了提高光催化活性，各种方法都有，例如掺杂和与其他半导体材料或金属和非金属结合的g-C3N4来衬托g-C3N4。氧化钨（WO3）被认为是有希望的材料，因为它的特殊光催化和电致变色性质。它在水溶液中具有特殊的化学惰性和光学稳定性。与TiO2相比，WO3具有更小的光学带隙（2.7eV），因此有利于太阳能的利用。同时，WO3的VB位置与TiO2非常接近。因此，在WO3的VB上产生的孔具有与TiO2相似的氧化能力。然而，WO3的CB水平比TiO2的CB水平更高，这导致在WO3的CB上产生的电子具有比TiO2有限的还原能力。

事实上，g-C3N4的VB位置为约1.57eV，WO3的CB位置为约0.74eV。所以当WO3与g-C3N4组合时，WO3和g-C3N4会发生反应。这种方式下，g-C3N4的VB与WO3的CB之间的距离很短，所以在g-C3N4的VB上产生的空穴容易与由WO3生成的电子结合。因此，g-C3N4的CB上的光生电子具有很强的还原能力，而在WO3的VB上的光生孔显示出优异的氧化能力。

1.2影响光催化反应效率的因素

1.2.1催化剂自身影响因素

催化剂的内部因素：催化剂的种类(二氧化钛g-C3N4或其它，)、催化反应类型(均相或多相等)、光生载流子分离和捕获、催化剂的基本性质(晶型、比表面、孔径、孔体积、分散状态等)、催化剂外界因素：(温度，体系PH值，光源的波长和强度等)[1]。1.2.1.1催化反应类型

均相催化是催化剂与均相反应物的催化作用。均相催化剂具有更活泼的中心，更高的选择性和更少的副反应。用光谱，光谱和同位素追踪方法研究催化剂的作用容易，反应动力学一般不复杂。可是均相催化剂难以分拆，回收和再生。

非均相催化。催化发生在两相界面。大多数情况下，催化剂是多孔固体，反应物是液体或气体。在非均相催化反应中，固体催化剂取决于反应物分子的化学反应，其激活反应物分子，降低反应的活化能并加速反应速率。固体催化剂的表面是异质的，并且仅与称为活性中心的反应物分子部分反应。工业生产中的大部分催化是多相催化。

生物催化是指使用酶或生物有机体（细胞，细胞器，组织等）进行化学转化的过程，也称为生物转化。通常用于生物催化的生物体是微生物，其微生物基本上由酶在微生物细胞中催化以促进生物转化过程。

1.2.1.2晶型结构

半导体晶体结构分为单晶型和多晶型，晶体结构对多晶型半导体的光催化性能有着巨大影响。同以晶体中不同的晶体结构对应不同的光催化活性，当具有高光催化活性的晶面在晶体中占有较大比例，相应的晶体整体光催化活性也会得到提高。在氯氧铋（BiOCl）晶体中，（001）晶面的光催化活性相对于其他晶面更高，当（001）晶面在晶体中所占比例得到提高，其晶体整体光催化活性也得到明显提高。存在其他的半导体光催化剂拥有着类似的现象[2[3]。

1.2.1.3光生载流子分离和捕获

在光催化反应中，光生载流子分离速率越快，光催化剂的光催化活性越高，催化剂的晶体结构和表面形态与光生载体密切相关。目前，光生载体的分离，重组和调节机理尚不十分清楚。一般来说，半导体的结晶度决定了电荷的转移速率，当晶体越好，电子转移速度越快，光电子空穴对的复合概率越小，当电子空穴越多，可以更充分地参与氧化还原反应，光催化活性更强[4]。

1.2.1.4比表面积和颗粒尺寸 三聚氰胺前驱g-C3N4/WO3的制备及光催化性能研究(3):http://www.chuibin.com/wuli/lunwen_205287.html