基51于单片机的洗衣机控制电路设计+源程序(5)
MCS-51单片机的内部的结构如下图所示。
2.1（1）MCS-51单片机的内部的结构图
从图中我们可看出,MCS-51单片机的组成结构当中主要包含运算器、控制器、片内存储器、4个8位的FO口、一个串行口、2个定时器/计数器以及中断系统、振荡器等功能部件。
单片机的引脚图如下
2.1（2）单片机的引脚图
2.1.I.主电源引脚
VCC(第40脚):接+SV电源。
VSS(第20脚):接地端。
2.1.2.外接晶体引脚
XTAL1(第19脚):外部晶振引脚"在单片机内部,它具有一个反相放大器的输入端,这个放大器也就构成了片内振荡器"而当采用外部的时钟源时,对于HMOS单片机,此引脚接地;对于CHMOS单片机,此引脚作为外部振荡信号的输入端。
2.1.3控制线
(l)ALE/ROG(第30脚):地址锁存允许输出信号端。ALE在每个机器周期内都输出两个脉冲。在访问片外程序存储器时,下降沿用于控制锁存PO输出的低8位地址信号;在不访问片外程序存储器的时候,可作为对外输出的时钟脉冲或用于定时目的。
(2)PSEN(第29脚):片外程序存储器读选通信号输出端,低电平有效。当从片外程序存储器读取指令或常数的时候,每个机器周期该信号两次有效,以通过数据总线PO口读回指令或常数"在访问片外数据存储器期间,PSEN信号将不出现。
(3)RST/VPD(第9脚):复位引脚。此引脚为单片机的上电复位或掉电保护端。如果在此引脚上保持两个机器周期以上的高电平,那么就可以.实现复位,使单片机回复到初始状态。当电源发生故障时,降低到低电平规定值或者掉电的时候,此引脚可以接上备用的电源VPD(+5V)为内部的RAM供电,从而可以保证RAM中的数据不丢失。
(4)EA/VPP(第31脚):EA是片外程序存储器的选用端。此引脚低电平有效时,只选用片外程序存储器,而在单片机上电或复位后选用片内程序存储器。
2.1.4.输入/输出引脚
(l)PO口(第39-32脚):PO口由P0.0-PO.7共8位组成"当不与片外存储器相连接以及与不扩展FO口时,那么可以作为准双向输入/输出口。而在扩展FO口或者接有片外存储器时,那么PO口可以传递低8位地址信号和双向数据信号
(2)PI口(第l-8脚):PI口由Pl.0-Pl.7共8位组成,可作为准双向I/0口使用。
(3)P2口(第21-28脚):PZ口由P2.0-P2.7共8位组成,一般可作为准双向FO口使用;在访问片外存储器时,PZ口传递高8位地址信号。
(4)P3口(第10-17脚):P3口由P3.0-P3.7共8位组成"除作为准双向I/O口使用外,还可以使用第二功能"P3口的第二功能如表所示。
P3口第二功能表如下：
表2.1.4(4) P3口第二功能表
MCS-51系列单片机的引脚归纳起来有以下两点:
(1)单片机的功能比较多,但是引脚数比较少,所以许多引脚都具有第二功能。
(2)单片机采用总线形式,由PZ/PO口组成16位地址总线;由PO口分时复用为数据总线;由ALE、PSEN、RST、EA与P3口中的INTO、INTI、TO、Tl、WR、RD共10个引脚组成控制总线。由于是16位地址线,所以,可使片外存储器的最大寻址范围达到64KB。
2.2 驱动电路ULN2003
2.2.1 特点
ULN2003 的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003 工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受50V 的电压，输出还可以在高负载电流并行运行。
ULN2003 采用DIP—16 或SOP—16 塑料封装。ULN2003内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。 ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。
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