半导体桥抗电磁加固技术研究(4)
1.4.2 主要的研究工作
（1）半导体桥的设计、加工与制作。在考虑加工可能性的前提条件下，设计出桥型符合要求的半导体桥，并根据国内微电子制造工艺水平采取切实可行的加工方案，加工出符合设计要求的半导体桥。
（2）用JGY-50Ⅲ静电感度仪分别对静电冲击（实验条件分别为500pF、25kV、5000Ω和10000pF、20kV、5000Ω）前后的四种不同桥型的半导体桥进行电阻测量，并分别比较它们电阻的变化情况。
（3）用KH-7700三文视屏显微镜分别对静电冲击前后的四种不同桥型的半导体桥进行显微观察，并分别比较四种半导体桥桥区的变化情况。
（4）用ALG-CNI储能放电起爆仪分别对静电冲击前后的四种不同桥型的半导体桥进行发火实验（实验条件为19V，33μF），采用示波器(LeCroy44Xs)采集它们的电流电压变化数据，并分析比较它们发火时间的变化情况。
（5）用高速摄像机分别对静电冲击前后的B型半导体桥的发火情况进行高速摄像分析处理，评判半导体桥的发火性能是否变化。
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