磁控溅射制备CuZr非晶薄膜及其结构的研究(4)
1.3.1 真空蒸镀法
物质在较高温度下会蒸发，通过加热器来加热升温到较高温度，实现蒸发蒸镀物质，使之物理堆积到衬底之上。人们最开始就是采用这种方法来产生非晶物质的，但是蒸镀这种方法需要将背底抽成真空，且真空度越高，实验效果越好。这是因为，真空度越高，蒸发出来的原子或分子的平均自由程越大，更容易的粘到衬底表面，而且薄膜的纯净度也是与真空度成正比的。
1.3.2 溅射法
真空条件下，带有电荷的离子在电场中具有一定的初速度，就会受因为到电场力的作用而不断加速，因而会具有一定动能，当动能足够大时候，这些离子就会脱离靶电极。在离子能量大小适宜的情况下，脱离靶电极的入射离子将与靶材外层的原子发生碰撞，并将靶材原子溅射出来。这些因为碰撞而溢出来的原子带有一定的动能，因而能不断运动，从而可以堆积在衬底上，形成薄膜。
真空蒸镀法和溅射法都是目前常用的方法，我们在这里采用溅射法，这是因为溅射法具有以下这些优点:（1）任何物质都可以溅射；（2）溅射得到的薄膜和基底之间结合较为紧密，分析认为是由于溅射得到的靶材原子所具有的动能要高得多，这些靶材原子沉积到基地表面时，动能转换为较高的热能而温度较高，使得靶材原子和基片间结合力更强而效果较好；（3）溅射薄膜纯度高，真空少，而且薄膜均匀性好；（4）溅射薄膜厚度的可控性和可重复性较好；（5）一次溅射可溅射较大面积且膜厚均匀。
溅射法的缺点是：（1）溅射设备复杂，溅射需花费的金钱比较多，成本高昂；（2）溅射成膜一次实验需要几个小时，效率低；（3）由于基片的温度比较高，故容易遭到杂质气体的干扰[16]。
1.4 磁控溅射法制备薄膜
溅射过程从微观角度来看是入射粒子与靶材原子进碰撞发生能量交换的过程。靶材中的晶格热振动是由入射粒子的绝大部分能量而产生的。入射粒子另外仅有极少部分的能量传递给了靶材原子[17]。离子束轰击材料表面可以产生多种溅射效果
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