已有大量研究证实Si离子注入结合高温退火工艺在SOI材料埋氧层内确实形成了Si纳米晶，并且通过辐照测试发现经Si离子注入改性加固后的SOI器件抗辐射性能明显增强[20,21]。
硅离子注入工艺参数对SOI材料抗总剂量辐射性能的影响(5):http://www.chuibin.com/cailiao/lunwen_76162.html
已有大量研究证实Si离子注入结合高温退火工艺在SOI材料埋氧层内确实形成了Si纳米晶，并且通过辐照测试发现经Si离子注入改性加固后的SOI器件抗辐射性能明显增强[20,21]。
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