1.1.1肖特基势垒的形成[13]

我们从能量角度考虑肖特基势垒的形成。金属中电子绝大多数能级低于体外能级，必须有足够的功，电子才能逸出。用E0表示真空中静止电子的能量，金属功函数用Wm表示[13]。则有它表示金属中一个处于费米能级的电子,逸出到真空所需能量。功函数表示电子所受束缚的强弱[13]。半导体与金属类似，用Ws表示半导体功函数，则有用亲和能χ表示逸出最小能量。即有则功函数又可表示为在了解金属与半导体的功函数之后，可以开始考虑它们接触后的问题。若假设一块金属与n型半导体E0相同，并假定，则它们未接触前有－＝－。用一

根导线连接，由于，半导体中的电子会沿导线流出，使半导体和金属表面带电。

这使得半导体电势上升，金属电势下降。达到平衡时，金属半导体拥有相同的费米能级[13]。

这意味着电势差弥补了最初费米能级的不同。用V和V′表示金属与半导体的电势则有：这里讨论的是距离的情景。而随这D的减少，半导体空间电荷区由于正电荷的聚集存在一定的电场，导致能带弯曲，半导体表面和内部之间存在电势差,即表面势[13]。