TEA1520系列单片开关电源设计 第3页
式中：δ为磁芯每边留出的气隙宽度（单位是mm），一般取0.1～0.3mm； SJ为磁芯有效截面积（单位是mm2）； BM为最大磁通密度（单位是mT），一般可取275mT，这样在工作时不会进入磁饱和状态。
表四 磁芯的选择
所存储的最大容量EM/mJ 磁芯的型号 有效截面积SJ/mm2
δ1=0.1mm δ2=0.3mm
0.10 0.23 E13/7/4 12.40
0.13 0.33 E16/12/5 19.40
0.14 0.34 E16/8/5 20.10
0.15 0.35 E13/6/6 20.20
0.20 0.45 E19/8/5 22.60
0.21 0.50 E20/10/5 31.20
0.27 0.62 E20/10/6 32.00
0.33 0.78 E25/9/6 38.40
0.38 0.88 E19/8/9 41.30
0.45 1.00 E25/13/7 52.00
0.64 1.40 E30/15/7 60.00
0.74 1.80 E31/13/9 83.20
0.74 1.80 E32/16/9 83.00
0.74 1.80 E34/14/9 80.70
有关高频变压器磁芯的选择，可参阅表四。磁芯型号中的三组数字，分别表示磁芯的长度、宽度和厚度（单位是mm）。所选择的磁芯应符合下述条件
EM（δ1）≤EM≤EM（δ2） （4）
举例说明，现采用E13／7／4型磁芯，查表四可知SJ=12.40mm2。已知LP=1.8mH，BM=275mT，令IP=330mA，分别代入式（2）和式（3），计算出
EM=10－6IP2LP=10－6×3302×1.8=0.19mJ
δ=0.2пLP IP2／SJBM2
=0.2×3.14×1.8×3302÷12.4÷2752
=0.11mm
查表四可知，EM（δ1）=0.10mJ，EM（δ2）=0.23mJ，而算出的EM=0.19mJ，恰好在0.10～0.23mJ之间，满足式（4）的规定条件，由此证明所选磁芯是合适的。为便于加工，实际气隙宽度可取整数值0.1mm。
3）一次绕组匝数NP计算公式为
NP=δBM×104／2пIP （5）
根据计算结果找出一个最接近于NP值的整数值，作为一次绕组的实际匝数。将δ=0.1mm，BM=275mT，IP=330mA，代入式（5）中，得到NP=133.2匝≈134匝。
4）二次绕组匝数NS
按下式计算NS并取整数值
NS=(Uo+UF3)•NP ／nUo （6）
式中，UF3为输出整流管的正向压降。实取UO=5V，UF3=0.4V（采用肖特基二极管），n=17，NP=134匝，代入式（6）中求出NS=8.5匝，取整数值8匝。
5）反馈绕组匝数NF
当电源电压UCC确定后，可按下式计算NF值
NF=(Ucc+UF2)•NS ／ (Uo+ UF2) （7）
将UCC=15V，UO=5V，UF2=0.7V代入式（7）中求得，NF=22.04匝，取整数值22匝。
.六、计算过流检测电阻RI
过流检测电阻用来限定IP值，亦即MOSFET的最大漏极电流ID(max)。RI上最大压降的典型值为URI=0.5V。RI的阻值可用下式求出
RI≤URI／IP=0.5／IP （8）
当IP=330mA时，由式（8）计算出RI=1.5Ω。其最大功耗P=IPURI=0.165W，实选0.5W的电阻。
七、 计算退磁电阻RAUX
计算退磁电阻的公式为 RAUX=0.7nUO （9）
式（9）中电阻的单位是kΩ。取UO=5V，n=NP／NS=134/8=16.75≈17，将nUO=85V代入式（9）中不难算出，RAUX=60kΩ。图七中实取75kΩ。
八、确定电源电压UCC
TEA1520系列的电源电压典型值约为13V，实际可取20V以下。计算公式为
UCC=NF／NS•(UO＋UF2)－UF2 （10）
式中的UF2代表反馈电路中整流管VD2的正向压降。将NF=22匝，NS=8匝，UO=5V，UF2=0.7V一并代入式（10）中，得到UCC=15V。
九、反馈电路中分压器的设计
在简易型开关电源中，采用的是一次调节电路，未使用光耦合器，而是使用电阻分压器。为防止因电阻值取得过大会给REG端引入干扰，要求R1＜10K Kω，R2的阻值可按下式进行计算：
R2=（Ucc／UREG-1）R1 (11)
十、计算输出滤波电容及滤波电感
首先选定滤波电容的实际容量COUT，再根据下式计算出滤波电感量。
L2=100／（п2f2COUT）（12）
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